SK海力士开始量产238层4DNAND内存速度提升20%的PCIe5.0NVMeSSD即将推出

与之前的176层型号相比，改进后的内存芯片可提供高达50%的传输速度提升。随着每个芯片的速度达到2.4Gbps，PCIe5.0NVMeSSD将能够达到14GB/s的读写速度。

PCIe5.0NVMeSSD现在的库存有限，有望将PCIe4.0型号的速度提高一倍。现实情况是，新标准需要额外的冷却，而现有的NAND内存芯片很难跟上PCIe5.0的带宽。即使是目前可用的最快解决方案，如CrucialT700，也只能达到12.4GB/s，这与14GB/s的理论最大速度仍有很大差距。这些限制主要来自内存芯片本身，而不是PCIe控制器。值得庆幸的是，最近进入量产的SK海力士238层4DNAND芯片应该很快就会解决这个瓶颈。

高端智能手机和消费类NVMeSSD将很快受益于新的238层4DNAND芯片，因为这家韩国公司刚刚宣布新内存类型已于5月底进入量产。SK海力士声称，238层模型是迄今为止最小的NAND芯片，与上一代176层芯片相比，制造效率提高了34%。总体生产成本应该保持相似，而具有竞争力的价格和预计的需求应该会推动2023年下半年收益的改善。

每个具有238层的新芯片都可以达到2.4Gbps的数据传输速度，这意味着存储解决方案的读取和写入速度提高了约20%。通过这种提升，PCIe5.0NVMeSSD将能够更稳定地达到14GB/s。SK海力士目前正在测试与全球智能手机制造商的产品兼容性，该公司将在2H2023年初开始出货新芯片。